题目：Characterization of Semiconductors by Combining DLTS and PL Techniques

报告人：卢励吾 教授

主持人：麦耀华 教授

报告时间：2016年11月11日，上午10点

报告地点：南海楼338会议室

报告摘要：

   应用深能级瞬态谱和光致发光谱技术来表征半导体的杂质缺陷态深能级的特性。系统详细介绍了深能级瞬态谱的原理，测量方法和测量的注意事项。着重介绍了其在半导体薄层材料，低维半导体结构和相关光电器件中的应用。

报告人简介：

  卢励吾，1946年8月出生，中国科学院半导体研究所研究员。1983年研究生毕业于中国科学院半导体研究所，获理学硕士学位，导师：许振嘉研究员。1983年3月起分别在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室和半导体材料科学重点实验室工作，2006年8月退休。本人长期从事半导体材料（Si, GaAs 和GaN基宽禁带半导体材料）和相关器件的物理特性的研究，尤期是材料和器件的电学（I-V, C-V, Hall, DLTS和热激电流谱）和光学(PL, CL)性质（尤期是表面态，界面态和体态深能级中心研究）表征。主持和参加多项国家自然科学基金，973项目和国家攻关项目。在国内外学术刊物上发表七十多篇论文和获得五项发明专利授权，编写“半导体的检测与分析”（第二版）（科学出版社，2007年， 许振嘉主编）第七章 半导体深中心的表征。

  1986年10月到1988年12月在比利时IMEC微电子中心作为访问学者。1995年11月到2006年6月期间多次在香港科技大学物理系作为访问学者。退休后于2006年11月到2007年11月在香港大学物理系访问学者。2009年1月到3月在中国科学院福建物质结构研究所访问学者。2009年7月返聘到北京大学物理学院宽禁带研究中心工作。参加中国科学院福建物质结构研究所和北大物理学院购买的深能级瞬态谱仪的调试，验收和培训学生工作。现为河南大学物理学院和西安电子科技大学微电子学院客座教授。

  欢迎广大师生参加！ 

新能源技术研究院

2016年11月4日